와이드 밴드갭 특성을 갖는 실리콘 카바이드 (SiC) 소재를 이용한 자외선에만 반응하는 광센서로서, 단광자수준의 자외선을 검출하기 위해 가이거모드에서 구동가능한 아발란체 포토다이오드 이다. 항복전압은 약 150V 이며, 200ns 이하의 dead time특성을 갖는다. TO-5로 패키징되었다.
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자외선 센서 APD
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와이드 밴드갭 특성을 갖는 실리콘 카바이드 (SiC) 소재를 이용한 자외선에만 반응하는 광센서로서, 단광자수준의 자외선을 검출하기 위해 가이거모드에서 구동가능한 아발란체 포토다이오드 이다. 항복전압은 약 150V 이며, 200ns 이하의 dead time특성을 갖는다. TO-5로 패키징되었다.
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